收藏本站
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0 40 80 120 160
200
-80
-40
0 40 80 120 160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
10000
C ISS = C GS + C GD
C OSS ? C DS + C GD
1000
C RSS = C GD
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
V DD = 75V
8
6
4
100
V GS = 0V, f = 1MHz
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 33A
I D = 16A
50
0
0.1
1 10
150
0
20
40
60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
FDB2532_F085 Rev. A
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDB2614 MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FDB2710 MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
FDB28N30TM MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
FDB3502 MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
FDB3652_F085 MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
FDB3672_F085 MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FDB3860 MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
FDB390N15A MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
相关代理商/技术参数
FDB2532_SN00238 制造商:FAIRCHILD 功能描述:curtis stampoff
FDB2532-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDB2532 Series 150 V 0.075 Ohms N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-263AB
FDB2552 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB2552_F085 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB2570 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB2572 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB2572_Q 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB-25P 制造商:Hirose 功能描述: